助理教授
caiyf@sustech.edu.cn
蔡月飞博士于2022年7月加入南方科技大学电子与电气工程系,主要从事宽禁带半导体的研究,包括氮化镓电子器件和光电子器件的设计、制备、表征和单片集成。目前已在化合物半导体领域的顶级国际会议IWN,ICNS和CSW上做口头报告3次,在ACS Nano, ACS Photonics, IEEE EDL, APL等高水平期刊上发表论文20余篇,其成果得到了国际知名科技媒体IEEE Spectrum, Semiconductor Today和Compound Semiconductor的专题报道, 也获得了内外同行的高度评价。此外还担任Photonics Research、Nature Electronics等期刊的审稿人,是IEEE高级会员、Optica会员。
氮化镓半导体器件可用于手机充电器、5G通信基站、智慧照明和显示等。为实现信息加载、控制或驱动等功能,都需要将光电子器件与电子器件进行集成。长远来看,单片集成在成本、可靠性和集成度等方面都有优势。利用选区外延技术(自下而上),可将HEMT的二维电子气和microLED的n-型GaN直接互联。这种微型的发光器件,由于避免了传统刻蚀(自上而下)方法带来的损伤、直接同质集成了驱动晶体管,可用做可见光通信的高品质光源和全氮化镓的微型显示器。

单片集成GaN HEMT-microLED光通信芯片

单片集成HEMT-microLED微显示器