近日，我校电子系孙小卫教授课题组在量子点发光二极管界面物理与老化机制研究方面取得了新的进展，相关成果发表在国际著名学术期刊《应用物理学快报》（Applied Physics Letters），并被期刊评选为主编精选论文，相关内容被置于期刊首页。

量子点发光二极管被认为是下一代宽色域新型显示的关键元件。但是其性能不稳定，且老化现象独特。例如，量子点发光二极管完成制备后的前几天里，其效能先是变好，数天之后才逐渐变差。目前对此现象产生机制的研究仍然不太充分。发表在《应用物理学快报》的这篇论文研究了量子点发光二极管中电荷传输层ZnMgO的阻变效应，及其如何影响器件老化特点。发光二极管工作时在电场的影响下，ZnMgO中发生了阻变效应，活泼的游离态氧离子以及氧空位迁移到与量子点接触的界面处，ZnMgO进入低阻状态，电子的传输效率上升，缺陷引起的激子猝灭减少，因而导致量子点发光二极管在老化的开始阶段里，效率反而提升，即所谓的积极老化现象。

ZnMgO发生阻变效应时，游离态氧离子和氧空位缺陷迁移示意图

南科大电子系研究助理丁时浩和研究助理教授吴政辉为共同第一作者，孙小卫教授和徐冰博士为共同通讯作者。